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STMicroelectronics STP120N4F6

Name: STP120N4F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP120N4F6
Price: 0.94424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (623 reviews)

Numéro de pièce MFG: STP120N4F6

quantité disponible: 47910 Pièces

Prix de référence: USD 0.94424

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STP120N4F6.pdf

STP120N4F6 Caractéristiques

Référence fabricant	STP120N4F6
Numéro de pièce future	FT-STP120N4F6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
STP120N4F6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP120N4F6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STP120N4F6-FT

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