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STMicroelectronics STP25N60M2-EP

Name: STP25N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP25N60M2-EP
Price: 3.872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (209 reviews)

Numéro de pièce MFG: STP25N60M2-EP

quantité disponible: 73700 Pièces

Prix de référence: USD 3.872

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ M2-EP MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STP25N60M2-EP.pdf

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STP25N60M2-EP Caractéristiques

Référence fabricant	STP25N60M2-EP
Numéro de pièce future	FT-STP25N60M2-EP
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ M2-EP
STP25N60M2-EP Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.75V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1090pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP25N60M2-EP Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STP25N60M2-EP-FT

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