maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STI24N60M6
Référence fabricant | STI24N60M6 |
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Numéro de pièce future | FT-STI24N60M6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ M6 |
STI24N60M6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI24N60M6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STI24N60M6-FT |
CSD17579Q3A
Texas Instruments
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A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
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A3P125-1VQG100
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5SGXEB6R3F40I3L
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XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.