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Texas Instruments CSD19538Q2T

Name: CSD19538Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD19538Q2T
Price: 0.372256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (336 reviews)

Numéro de pièce MFG: CSD19538Q2T

quantité disponible: 36190 Pièces

Prix de référence: USD 0.372256

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fabricant: Texas Instruments

Brève description: NexFET™ MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: CSD19538Q2T.pdf

CSD19538Q2T Caractéristiques

Référence fabricant	CSD19538Q2T
Numéro de pièce future	FT-CSD19538Q2T
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	NexFET™
CSD19538Q2T Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	454pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-WSON (2x2)
Paquet / caisse	6-WDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19538Q2T Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	CSD19538Q2T-FT

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