maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD19538Q3AT
Référence fabricant | CSD19538Q3AT |
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Numéro de pièce future | FT-CSD19538Q3AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD19538Q3AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 454pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 23W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSONP (3x3.15) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD19538Q3AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD19538Q3AT-FT |
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