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STMicroelectronics STI12N65M5

Name: STI12N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STI12N65M5
Availability: InStock
Rating: 4.7 (178 reviews)

Numéro de pièce MFG: STI12N65M5

quantité disponible: 93070 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ V MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STI12N65M5.pdf

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STI12N65M5 Caractéristiques

Référence fabricant	STI12N65M5
Numéro de pièce future	FT-STI12N65M5
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ V
STI12N65M5 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	70W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STI12N65M5 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STI12N65M5-FT

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