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Texas Instruments TPS1101DRG4

Numéro de pièce MFG
TPS1101DRG4
quantité disponible
30840 Pièces
Prix de référence
USD 0.77616
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
- MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TPS1101DRG4.pdf
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TPS1101DRG4 Caractéristiques

Référence fabricant TPS1101DRG4
Numéro de pièce future FT-TPS1101DRG4
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TPS1101DRG4 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 15V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.25nC @ 10V
Vgs (Max) +2V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 791mW (Ta)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1101DRG4 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TPS1101DRG4-FT

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