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Texas Instruments CSD19532Q5B

Numéro de pièce MFG
CSD19532Q5B
quantité disponible
80700 Pièces
Prix de référence
USD 0.87696
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD19532Q5B Caractéristiques

Référence fabricant CSD19532Q5B
Numéro de pièce future FT-CSD19532Q5B
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD19532Q5B Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4810pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19532Q5B Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD19532Q5B-FT

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