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Texas Instruments TPS1101DR

Name: TPS1101DR
Brand: Texas Instruments
SKU: TPS1101DR
Price: 0.77616 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (126 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPS1101DR

quantité disponible: 61680 Pièces

Prix de référence: USD 0.77616

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Texas Instruments

Brève description: - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPS1101DR.pdf

TPS1101DR Caractéristiques

Référence fabricant	TPS1101DR
Numéro de pièce future	FT-TPS1101DR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TPS1101DR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	15V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.25nC @ 10V
Vgs (Max)	+2V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	791mW (Ta)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPS1101DR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPS1101DR-FT

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