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Référence fabricant | STH15NB50FI |
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Numéro de pièce future | FT-STH15NB50FI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerMESH™ |
STH15NB50FI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 80W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOWATT-218 |
Paquet / caisse | ISOWATT-218-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH15NB50FI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STH15NB50FI-FT |
TSM085P03CS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM1N45DCS RLG
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TSM4425CS RLG
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TSM085N03PQ33 RGG
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TSM085P03CV RGG
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TSM061NA03CV RGG
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TSM150P03PQ33 RGG
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TSM038N03PQ33 RGG
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
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EP20K600EBC652-1X
Intel