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Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG

Name: TSM061NA03CV RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM061NA03CV RGG
Price: 0.384272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (116 reviews)

Numéro de pièce MFG: TSM061NA03CV RGG

quantité disponible: 28590 Pièces

Prix de référence: USD 0.384272

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TSM061NA03CV RGG.pdf

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TSM061NA03CV RGG Caractéristiques

Référence fabricant	TSM061NA03CV RGG
Numéro de pièce future	FT-TSM061NA03CV RGG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TSM061NA03CV RGG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	19.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1136pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	44.6W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PDFN (3x3)
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM061NA03CV RGG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TSM061NA03CV RGG-FT

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