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Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33 RGG

Numéro de pièce MFG
TSM085N03PQ33 RGG
quantité disponible
12770 Pièces
Prix de référence
USD 0.14744
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Date d'expédition
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fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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TSM085N03PQ33 RGG Caractéristiques

Référence fabricant TSM085N03PQ33 RGG
Numéro de pièce future FT-TSM085N03PQ33 RGG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
TSM085N03PQ33 RGG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 817pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-PDFN (3x3)
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM085N03PQ33 RGG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TSM085N03PQ33 RGG-FT

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