maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / STGWT80H65DFB
Référence fabricant | STGWT80H65DFB |
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Numéro de pièce future | FT-STGWT80H65DFB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
STGWT80H65DFB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 120A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 240A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
Puissance - Max | 469W |
Énergie de commutation | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 414nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 84ns/280ns |
Condition de test | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 85ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGWT80H65DFB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STGWT80H65DFB-FT |
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