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STMicroelectronics STGWT80H65DFB

Numéro de pièce MFG
STGWT80H65DFB
quantité disponible
40850 Pièces
Prix de référence
USD 6
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
- IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STGWT80H65DFB.pdf
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STGWT80H65DFB Caractéristiques

Référence fabricant STGWT80H65DFB
Numéro de pièce future FT-STGWT80H65DFB
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
STGWT80H65DFB Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 120A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Puissance - Max 469W
Énergie de commutation 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 414nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns
Condition de test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 85ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-3P-3, SC-65-3
Package d'appareils du fournisseur TO-3P
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STGWT80H65DFB Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STGWT80H65DFB-FT

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