maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / STGW8M120DF3
Référence fabricant | STGW8M120DF3 |
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Numéro de pièce future | FT-STGW8M120DF3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | M |
STGW8M120DF3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 16A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 32A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 8A |
Puissance - Max | 167W |
Énergie de commutation | 390µJ (on), 370µJ (Off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 32nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 20ns/126ns |
Condition de test | 600V, 8A, 33 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 103ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW8M120DF3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STGW8M120DF3-FT |
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