maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / STGYA120M65DF2
Référence fabricant | STGYA120M65DF2 |
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Numéro de pièce future | FT-STGYA120M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
STGYA120M65DF2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT, Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 360A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 120A |
Puissance - Max | 625W |
Énergie de commutation | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 420nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 66ns/185ns |
Condition de test | 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 202ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | MAX247™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGYA120M65DF2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STGYA120M65DF2-FT |
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