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STMicroelectronics STGB30M65DF2

Numéro de pièce MFG
STGB30M65DF2
quantité disponible
58760 Pièces
Prix de référence
USD 1.68168
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
- IGBT 650V 30A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STGB30M65DF2.pdf
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STGB30M65DF2 Caractéristiques

Référence fabricant STGB30M65DF2
Numéro de pièce future FT-STGB30M65DF2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
STGB30M65DF2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Puissance - Max 258W
Énergie de commutation 300µJ (on), 960µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 80nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 31.6ns/115ns
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 140ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur D2PAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STGB30M65DF2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STGB30M65DF2-FT

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