maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / HGT1S7N60C3DS
Référence fabricant | HGT1S7N60C3DS |
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Numéro de pièce future | FT-HGT1S7N60C3DS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HGT1S7N60C3DS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 14A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 56A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
Puissance - Max | 60W |
Énergie de commutation | 165µJ (on), 600µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 23nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | 480V, 7A, 50 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 37ns |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGT1S7N60C3DS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HGT1S7N60C3DS-FT |
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