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ON Semiconductor HGT1S7N60C3DS9A

Numéro de pièce MFG
HGT1S7N60C3DS9A
quantité disponible
81870 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 600V 14A 60W TO263AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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HGT1S7N60C3DS9A Caractéristiques

Référence fabricant HGT1S7N60C3DS9A
Numéro de pièce future FT-HGT1S7N60C3DS9A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
HGT1S7N60C3DS9A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 14A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Puissance - Max 60W
Énergie de commutation 165µJ (on), 600µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 23nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 37ns
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S7N60C3DS9A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange HGT1S7N60C3DS9A-FT

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