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Référence fabricant | STFW45N65M5 |
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Numéro de pièce future | FT-STFW45N65M5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ V |
STFW45N65M5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 17.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3470pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 57W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOWATT-218FX |
Paquet / caisse | ISOWATT218FX |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFW45N65M5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STFW45N65M5-FT |
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CSD16408Q5C
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
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10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel