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Texas Instruments CSD16323Q3C

Numéro de pièce MFG
CSD16323Q3C
quantité disponible
64550 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD16323Q3C Caractéristiques

Référence fabricant CSD16323Q3C
Numéro de pièce future FT-CSD16323Q3C
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD16323Q3C Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 21A (Ta), 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) +10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 12.5V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SON-EP (3x3)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD16323Q3C Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD16323Q3C-FT

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