maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD19531Q5AT
Référence fabricant | CSD19531Q5AT |
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Numéro de pièce future | FT-CSD19531Q5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD19531Q5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3870pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSONP (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD19531Q5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD19531Q5AT-FT |
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