maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD16401Q5
Référence fabricant | CSD16401Q5 |
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Numéro de pièce future | FT-CSD16401Q5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD16401Q5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 12.5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16401Q5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD16401Q5-FT |
CSD13303W1015
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AT6010ALV-4AC
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Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel