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Référence fabricant | CSD13303W1015 |
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Numéro de pièce future | FT-CSD13303W1015 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD13303W1015 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 31A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 715pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.65W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DSBGA |
Paquet / caisse | 6-UFBGA, DSBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD13303W1015 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD13303W1015-FT |
TPH3300CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3R704PL,L1Q
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TPH4R50ANH,L1Q
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TPH5200FNH,L1Q
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TPH6R003NL,LQ
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TPH7R006PL,L1Q
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TPH8R008NH,L1Q
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TPH8R903NL,LQ
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TPHR8504PL,L1Q
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TPN1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel