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Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q
- Numéro de pièce MFG
- TPN1110ENH,L1Q
- quantité disponible
- 57280 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.49504
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- TPN1110ENH,L1Q.pdf
TPN1110ENH,L1Q Caractéristiques
| Référence fabricant | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-TPN1110ENH,L1Q |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | U-MOSVIII-H |
| TPN1110ENH,L1Q Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN1110ENH,L1Q Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | TPN1110ENH,L1Q-FT |
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