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Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q

Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENH,L1Q
Price: 0.49504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (531 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPN1110ENH,L1Q

quantité disponible: 57280 Pièces

Prix de référence: USD 0.49504

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPN1110ENH,L1Q.pdf

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TPN1110ENH,L1Q Caractéristiques

Référence fabricant	TPN1110ENH,L1Q
Numéro de pièce future	FT-TPN1110ENH,L1Q
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVIII-H
TPN1110ENH,L1Q Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPN1110ENH,L1Q Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPN1110ENH,L1Q-FT

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