maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD16322Q5C
Référence fabricant | CSD16322Q5C |
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Numéro de pièce future | FT-CSD16322Q5C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD16322Q5C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 97A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1365pF @ 12.5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SON |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16322Q5C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD16322Q5C-FT |
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