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STMicroelectronics STD1HN60K3

Name: STD1HN60K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD1HN60K3
Price: 0.411048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (629 reviews)

Numéro de pièce MFG: STD1HN60K3

quantité disponible: 50220 Pièces

Prix de référence: USD 0.411048

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: SuperMESH3™ MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STD1HN60K3.pdf

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STD1HN60K3 Caractéristiques

Référence fabricant	STD1HN60K3
Numéro de pièce future	FT-STD1HN60K3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperMESH3™
STD1HN60K3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	27W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD1HN60K3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STD1HN60K3-FT

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