maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STP4NK50ZD
Référence fabricant | STP4NK50ZD |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STP4NK50ZD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH™ |
STP4NK50ZD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP4NK50ZD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STP4NK50ZD-FT |
STP9NK60Z
STMicroelectronics
BUZ10
STMicroelectronics
IRF520
STMicroelectronics
IRF530
STMicroelectronics
IRF540
STMicroelectronics
IRF620
STMicroelectronics
IRF634
STMicroelectronics
IRF640
STMicroelectronics
IRF730
STMicroelectronics
IRF740
STMicroelectronics
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel