maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STP5N120
Référence fabricant | STP5N120 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STP5N120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH™ |
STP5N120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP5N120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STP5N120-FT |
IRF530
STMicroelectronics
IRF540
STMicroelectronics
IRF620
STMicroelectronics
IRF634
STMicroelectronics
IRF640
STMicroelectronics
IRF730
STMicroelectronics
IRF740
STMicroelectronics
IRF820
STMicroelectronics
IRF830
STMicroelectronics
IRF840
STMicroelectronics
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel