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STMicroelectronics STB45N60DM2AG

Name: STB45N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB45N60DM2AG
Price: 2.342032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (210 reviews)

Numéro de pièce MFG: STB45N60DM2AG

quantité disponible: 95660 Pièces

Prix de référence: USD 2.342032

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 600V 34A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STB45N60DM2AG.pdf

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STB45N60DM2AG Caractéristiques

Référence fabricant	STB45N60DM2AG
Numéro de pièce future	FT-STB45N60DM2AG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STB45N60DM2AG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB45N60DM2AG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STB45N60DM2AG-FT

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