maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STE70NM50
Référence fabricant | STE70NM50 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STE70NM50 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ |
STE70NM50 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 266nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 600W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Paquet / caisse | ISOTOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STE70NM50 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STE70NM50-FT |
TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM280NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM015NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM018NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM024NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM025NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM026NA03CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM033NA04LCR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel