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STMicroelectronics STH315N10F7-2

Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STH315N10F7-2
Price: 2.848272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (768 reviews)

Numéro de pièce MFG: STH315N10F7-2

quantité disponible: 30230 Pièces

Prix de référence: USD 2.848272

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STH315N10F7-2.pdf

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STH315N10F7-2 Caractéristiques

Référence fabricant	STH315N10F7-2
Numéro de pièce future	FT-STH315N10F7-2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
STH315N10F7-2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	315W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	H2Pak-2
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH315N10F7-2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STH315N10F7-2-FT

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