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STB13NM50N-1 Image

STMicroelectronics STB13NM50N-1

Numéro de pièce MFG
STB13NM50N-1
quantité disponible
29480 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MDmesh™ II MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STB13NM50N-1.pdf
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STB13NM50N-1 Caractéristiques

Référence fabricant STB13NM50N-1
Numéro de pièce future FT-STB13NM50N-1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MDmesh™ II
STB13NM50N-1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I2PAK
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB13NM50N-1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STB13NM50N-1-FT

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