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Texas Instruments CSD18536KTTT

Numéro de pièce MFG
CSD18536KTTT
quantité disponible
69390 Pièces
Prix de référence
USD 3.35264
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD18536KTTT Caractéristiques

Référence fabricant CSD18536KTTT
Numéro de pièce future FT-CSD18536KTTT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD18536KTTT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200A (Ta), 279A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11430pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DDPAK/TO-263-3
Paquet / caisse TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD18536KTTT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD18536KTTT-FT

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