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Texas Instruments CSD19536KTTT

Numéro de pièce MFG
CSD19536KTTT
quantité disponible
21900 Pièces
Prix de référence
USD 3.50512
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD19536KTTT Caractéristiques

Référence fabricant CSD19536KTTT
Numéro de pièce future FT-CSD19536KTTT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD19536KTTT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 153nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DDPAK/TO-263-3
Paquet / caisse TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19536KTTT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD19536KTTT-FT

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