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STMicroelectronics STB12NM50T4

Numéro de pièce MFG
STB12NM50T4
quantité disponible
57100 Pièces
Prix de référence
USD 1.68168
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MDmesh™ MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STB12NM50T4.pdf
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STB12NM50T4 Caractéristiques

Référence fabricant STB12NM50T4
Numéro de pièce future FT-STB12NM50T4
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MDmesh™
STB12NM50T4 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 550V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D2PAK
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB12NM50T4 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STB12NM50T4-FT

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