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STR1P2UH7 Image

STMicroelectronics STR1P2UH7

Numéro de pièce MFG
STR1P2UH7
quantité disponible
79690 Pièces
Prix de référence
USD 0.1516
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
STripFET™ H7 MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STR1P2UH7.pdf
STR1P2UH7 Image

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STR1P2UH7 Caractéristiques

Référence fabricant STR1P2UH7
Numéro de pièce future FT-STR1P2UH7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries STripFET™ H7
STR1P2UH7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 350mW (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STR1P2UH7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STR1P2UH7-FT

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