maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STL18N60M2
Référence fabricant | STL18N60M2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STL18N60M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II Plus |
STL18N60M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 308 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 791pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 57W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerFlat™ (5x6) HV |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL18N60M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STL18N60M2-FT |
IRF630FP
STMicroelectronics
IRF640FP
STMicroelectronics
STF10NM65N
STMicroelectronics
STF11N52K3
STMicroelectronics
STF11N65K3
STMicroelectronics
STF11NM60N
STMicroelectronics
STF12NM50N
STMicroelectronics
STF12NM60N
STMicroelectronics
STF12NM65
STMicroelectronics
STF12PF06
STMicroelectronics
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.