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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R,LF

Numéro de pièce MFG
SSM6N357R,LF
quantité disponible
43100 Pièces
Prix de référence
USD 0.1116
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM6N357R,LF.pdf
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SSM6N357R,LF Caractéristiques

Référence fabricant SSM6N357R,LF
Numéro de pièce future FT-SSM6N357R,LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SSM6N357R,LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 12V
Puissance - Max 1.5W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur 6-TSOP-F
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6N357R,LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM6N357R,LF-FT

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