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Référence fabricant | SS1H10HE3/5AT |
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Numéro de pièce future | FT-SS1H10HE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS1H10HE3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10HE3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS1H10HE3/5AT-FT |
ES1B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1C-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1CHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2DHE3J/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel