maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / ES1BHE3/5AT
Référence fabricant | ES1BHE3/5AT |
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Numéro de pièce future | FT-ES1BHE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1BHE3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BHE3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1BHE3/5AT-FT |
SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel