Référence fabricant | ES1D/1 |
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Numéro de pièce future | FT-ES1D/1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1D/1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1D/1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1D/1-FT |
US1AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation