maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / US1BHE3_A/H
Référence fabricant | US1BHE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-US1BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
US1BHE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1BHE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US1BHE3_A/H-FT |
S1KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation