maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SA2B-E3/5AT
Référence fabricant | SA2B-E3/5AT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SA2B-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SA2B-E3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 11pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SA2B-E3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SA2B-E3/5AT-FT |
BYS10-25-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-35-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-45-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS11-90-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel