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Référence fabricant | SS16LHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-SS16LHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS16LHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS16LHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS16LHM2G-FT |
HS1GL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1JL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1JL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
HS1KL RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1AL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1AL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1ALHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1ALHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1BL R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1BL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel