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Référence fabricant | HS1JL RVG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1JL RVG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1JL RVG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1JL RVG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1JL RVG-FT |
SS29L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RUG
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SS29LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
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5SGXMA3K2F35C2N
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XC5VSX50T-2FFG1136I
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5CGTFD5C5F23C7N
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10AX115R3F40I2SG
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