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Référence fabricant | HS1GL R3G |
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Numéro de pièce future | FT-HS1GL R3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1GL R3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1GL R3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1GL R3G-FT |
SS26LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel