maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SQR40030ER_GE3
Référence fabricant | SQR40030ER_GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SQR40030ER_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SQR40030ER_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQR40030ER_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQR40030ER_GE3-FT |
SI5482DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5482DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5484DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5485DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5485DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8416DB-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8809EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8819EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SIA430DJ-T4-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel