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Référence fabricant | SQJ910AEP-T1_GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SQJ910AEP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ910AEP-T1_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1869pF @ 15V |
Puissance - Max | 48W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ910AEP-T1_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQJ910AEP-T1_GE3-FT |
AON7932
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON7932_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AON6810
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AON6812
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AON6816
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AON6850
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AON6884
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AO7801
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AO7800
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AO7600
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LCMXO640C-4TN100C
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XC7A100T-3FTG256E
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M1AFS1500-2FG484
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APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
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EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel