maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON6810
Référence fabricant | AON6810 |
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Numéro de pièce future | FT-AON6810 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON6810 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1720pF @ 15V |
Puissance - Max | 4.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP (5.2x5.55) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6810 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6810-FT |
AO4806
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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XC2S300E-6PQG208C
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XC2VP50-6FF1148I
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LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
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EPF8636AQC160-4N
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