maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / SMUN5214DW1T1G
Référence fabricant | SMUN5214DW1T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMUN5214DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SMUN5214DW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 187mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5214DW1T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMUN5214DW1T1G-FT |
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel